https://techllm.github.io/tags/reram/Recent content in ReRAM on TechLLMHugokoMon, 02 Nov 2026 07:34:12 +0900https://techllm.github.io/posts/study-of-resistive-switching-dynamics-and-memory-states-equilibria-in/Mon, 02 Nov 2026 07:34:12 +0900https://techllm.github.io/posts/study-of-resistive-switching-dynamics-and-memory-states-equilibria-in/이 논문은 CMO/HfOx 아날로그 ReRAM의 산소 빈자리 이동, 전자 홉핑 전도, 열 효과를 결합한 물리 기반 compact model을 제시한다. 외부 직렬 저항과 비현실적인 결함 농도 방지, 결함 상태에 따라 달라지는 홉핑 특성, 전자 전도의 변동성을 반영해 I-V 곡선, 단일 펄스 SET 동역학, 양방향 누적 전도도 변화를 실험과 비교한다. Dynamic Route Map으로 준정적 구동의 평형 결함 상태와 펄스 구동의 Symmetry Point가 같은 상태에 놓일 수 있음을 보인다.https://techllm.github.io/posts/update-disturbance-resilient-analog-reram-crossbar-arrays-for-in-memor/Sat, 31 Oct 2026 07:33:09 +0900https://techllm.github.io/posts/update-disturbance-resilient-analog-reram-crossbar-arrays-for-in-memor/이 논문은 350 nm CMOS 공정에 집적한 CMO/HfOx 아날로그 ReRAM에서 병렬 가중치 갱신 중 비대상 셀의 값이 바뀌는 현상을 조사했다. HfOx 안에 미리 만든 나노 크기 전도성 필라멘트가 전기장과 열을 좁은 영역에 집중시켜 스위칭 반응을 비선형으로 만들며, 소자 측정에서는 60 ns 펄스 스위칭과 100k 교란 펄스까지의 안정성을 보였다. 5×5 배열 칩에서 병렬 문자 매핑도 시연했다.