CMO/HfOx on TechLLMhttps://techllm.github.io/tags/cmo/hfox/Recent content in CMO/HfOx on TechLLMHugokoMon, 02 Nov 2026 07:34:12 +0900전압에 따라 작은 메모리의 저항이 어떻게 바뀌고 안정되는지 계산하는 모델을 만든 연구다.https://techllm.github.io/posts/study-of-resistive-switching-dynamics-and-memory-states-equilibria-in/Mon, 02 Nov 2026 07:34:12 +0900https://techllm.github.io/posts/study-of-resistive-switching-dynamics-and-memory-states-equilibria-in/이 논문은 CMO/HfOx 아날로그 ReRAM의 산소 빈자리 이동, 전자 홉핑 전도, 열 효과를 결합한 물리 기반 compact model을 제시한다. 외부 직렬 저항과 비현실적인 결함 농도 방지, 결함 상태에 따라 달라지는 홉핑 특성, 전자 전도의 변동성을 반영해 I-V 곡선, 단일 펄스 SET 동역학, 양방향 누적 전도도 변화를 실험과 비교한다. Dynamic Route Map으로 준정적 구동의 평형 결함 상태와 펄스 구동의 Symmetry Point가 같은 상태에 놓일 수 있음을 보인다.