https://techllm.github.io/tags/analog-in-memory-computing/Recent content in Analog In-Memory Computing on TechLLMHugokoSat, 31 Oct 2026 07:33:09 +0900https://techllm.github.io/posts/update-disturbance-resilient-analog-reram-crossbar-arrays-for-in-memor/Sat, 31 Oct 2026 07:33:09 +0900https://techllm.github.io/posts/update-disturbance-resilient-analog-reram-crossbar-arrays-for-in-memor/이 논문은 350 nm CMOS 공정에 집적한 CMO/HfOx 아날로그 ReRAM에서 병렬 가중치 갱신 중 비대상 셀의 값이 바뀌는 현상을 조사했다. HfOx 안에 미리 만든 나노 크기 전도성 필라멘트가 전기장과 열을 좁은 영역에 집중시켜 스위칭 반응을 비선형으로 만들며, 소자 측정에서는 60 ns 펄스 스위칭과 100k 교란 펄스까지의 안정성을 보였다. 5×5 배열 칩에서 병렬 문자 매핑도 시연했다.